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IRF7526D1	文件：120.95 Kbytes Page：8 Pages	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V) Description TheFETKYTMfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combini	IRF International Rectifier	IRF
IRF7526D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	FETKY™ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V);	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF7526D1TR	文件：126.5 Kbytes Page：8 Pages	Co-packaged HEXFET횘 Power MOSFET and Schottky Diode Description TheFETKYTMfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combini	IRF International Rectifier	IRF
IRF7526D1PBF	文件：151.39 Kbytes Page：10 Pages	Co-packaged HEXFET짰Power MOSFET and Schottky Diode	IRF International Rectifier	IRF
IRF7526D1PBF	文件：151.39 Kbytes Page：10 Pages	Generation 5 Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7526D1PBF_15	文件：151.39 Kbytes Page：10 Pages	Generation 5 Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7526D1TRPBF	文件：151.39 Kbytes Page：10 Pages	Co-packaged HEXFET짰Power MOSFET and Schottky Diode	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF7526D1
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
FETKY™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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