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IRF7807VD1TRPBF	文件：1.15469 Mbytes Page：9 Pages	Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET and schottky diode	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1	文件：117.61 Kbytes Page：9 Pages	FETKY??MOSFET/SCHOTTKYDIODE Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFETMOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRF7807VD1	文件：135 Kbytes Page：9 Pages	Co-PackN-channelHEXFETPowerMOSFETandSchottkyDiode	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1PBF	文件：1.15469 Mbytes Page：9 Pages	LOWCONDUCTIONLOSSES	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRF7807VD1TR	文件：135 Kbytes Page：9 Pages	Co-PackN-channelHEXFETPowerMOSFETandSchottkyDiode	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

详细参数

型号：
IRF7807VD1TRPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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