首页>IRF7807VD1>规格书详情
IRF7807VD1中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF7807VD1规格书详情
Description
The FETKY™ family of Co-Pack HEXFET® MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifier’s low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.
• Co-Pack N-channel HEXFET® Power MOSFET
and Schottky Diode
• Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters Up to 5A Output
• Low Conduction Losses
• Low Switching Losses
• Low Vf Schottky Rectifier
• 100 RG Tested
• Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRF7807VD1
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
FETKY™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
SOP8 |
9000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
24+ |
SOIC8 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ir |
23+ |
NA |
986 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
IR |
24+ |
SOP |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
IR |
2015+ |
SOP |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
原装IR |
19+ |
SOP-8 |
20000 |
询价 | |||
IOR |
22+ |
SOP-8 |
5000 |
只做原装,假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOP8 |
9896 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
8-SO |
4000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
IR |
21+ |
SOP-8 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
