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IRF7807V中文资料PDF规格书

厂商型号	IRF7807V
功能描述	N Channel Application Specific MOSFET
文件大小	159.95 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	International Rectifier
企业简称	IRF【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2024-6-23 15:18:00

IRF7807V规格书详情

Description

This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduction of conduction and switching losses makes it ideal for high efficiency DC-DC Converters that power the latest generation of mobile microprocessors.

A pair of IRF7807V devices provides the best cost/performance solution for system voltages, such as 3.3V and 5V.

• N Channel Application Specific MOSFET

• Ideal for Mobile DC-DC Converters

• Low Conduction Losses

• Low Switching Losses

• 100 RG Tested

产品属性

型号：
IRF7807V
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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