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IRF7807VD1	文件：117.61 Kbytes Page：9 Pages	FETKY??MOSFET / SCHOTTKY DIODE Description The FETKY™ family of Co-Pack HEXFETMOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance 文件：117.61 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7807VD1	文件：1.14942 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The FETKY™ family of Co-Pack HEXFET® MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance 文件：1.14942 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7807VD1	文件：135 Kbytes Page：9 Pages	Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode 文件：135 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7807VD1PBF	文件：1.14942 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The FETKY™ family of Co-Pack HEXFET® MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance 文件：1.14942 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7807VD1PBF	文件：1.15469 Mbytes Page：9 Pages	LOW CONDUCTION LOSSES 文件：1.15469 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7807VD1PBF_15	文件：1.15469 Mbytes Page：9 Pages	LOW CONDUCTION LOSSES 文件：1.15469 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7807VD1PBF-1	文件：238.95 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：238.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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IRF7807VD1TR	文件：135 Kbytes Page：9 Pages	Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode 文件：135 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7807VD1TRPBF	文件：1.15469 Mbytes Page：9 Pages	Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET and schottky diode 文件：1.15469 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF7807VD1
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
FETKY™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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