首页 >IRF7907PBF>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF7907PBF | HEXFETR Power MOSFET 文件：294.5 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF7907PBF | Dual SO-8 MOSFET for POL 文件：331.5 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF7907PBF | Improved Body Diode Reverse Recovery 文件：325.9 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
Dual SO-8 MOSFET for POL 文件：331.5 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Improved Body Diode Reverse Recovery 文件：325.9 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：281.71 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：281.71 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 SO-8 封装 | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- VDS max：
30.0V
- RDS (on) max：
11.8mΩ
- RDS (on)(@10V) max：
11.8mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max：
13.7mΩ
- Polarity ：
N+N
- ID (@ TA=70°C) max：
8.8A
- ID (@ TA=25°C) max：
11.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max：
2.0W
- QG ：
14.0nC
- RthJA max：
62.5K/W
- Tj max：
150.0°C
- Moisture Sensitivity Level ：
1
- Qgd(typ) ：
4.9nC
- VGS max：
20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
SOP |
24000 |
原装现货原包原盒 库位：深圳 |
询价 | ||
IR |
24+ |
8-SOIC |
1844 |
询价 | |||
IR |
1706+ |
SOP8 |
6500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
Internati |
2022+ |
22 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
25+ |
SOP8 |
28050 |
现货 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
SOP-8 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
AVAGO |
24+ |
SOP8 |
10000 |
原装正品价格优势!欢迎询价QQ:385913858TEL:15 |
询价 |
更多IRF7907PBF供应商
更新时间2026-10-31 16:10:00
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- SI7913DN
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- SI7900EDN
- SI7922DN
- SI7946DP
- SI7945DP
- SI7921DN
- SI7905DN
- SI7938DP
- SI7925DN
- SI7948DP
- SI7946ADP
- SE1
- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
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