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IRF7907PBF-1数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF7907PBF-1

功能描述

30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-23 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7907PBF-1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on) max

    :11.8mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :11.8mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :11.8mΩ

  • RDS (on) max

    :11.8mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :13.7mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :13.7mΩ

  • Polarity 

    :N+N

  • Polarity 

    :N+N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :8.8A

  • ID (@ TA=70°C) max

    :8.8A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :11.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :11.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.0W

  • QG 

    :14.0nC 

  • RthJA max

    :62.5K/W

  • Tj max

    :150.0°C

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd(typ) 

    :4.9nC 

  • Qgd(typ) 

    :4.9nC 

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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