IRF7832Z数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号：
IRF7832Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
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IR |
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SOP8 |
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IR |
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SOP8 |
5000 |
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IR |
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SOP-8 |
50000 |
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IOR |
24+ |
S0P8 |
85 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IOR |
20+ |
SOP8 |
2960 |
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IOR |
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SOP8 |
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IR |
22+ |
SOP8 |
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