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IRF7832Z

HEXFET Power MOSFET

Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating ● 100 tested for Rg Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters

文件:265.32 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7832Z

Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

文件:270.89 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7832ZPBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating ● Lead-Free ● 100 tested for Rg Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-D

文件:265.95 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7832ZTR

Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

文件:270.89 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7832Z

Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRF7832Z

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
25+
PLCC44
18000
原厂直接发货进口原装
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更多IRF7832Z供应商 更新时间2025-12-13 17:32:00