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IRF8010S	文件：223.28 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical RDS(on)= 12mΩ aplications High frequency DC-DC converters UPS and Motor Control 文件：223.28 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8010S	文件：189.03 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF8010SPBF	文件：220.46 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical RDS(on)= 12mΩ applications High frequency DC-DC converters UPS and Motor Control 文件：220.46 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8010STRLPBF	文件：223.28 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical RDS(on)= 12mΩ aplications High frequency DC-DC converters UPS and Motor Control 文件：223.28 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8010SPBF	文件：1.00179 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.00179 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF8010SPBF	文件：229.6 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：229.6 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF8010SPBF_15	文件：229.6 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：229.6 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF8010S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF8010STRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
15 mΩ
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
81 nC
Special Features：
Wide SOA
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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