选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
IRSOP |
8515 |
08+ |
原装库存有订单来谈优势 |
|||
|
深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
|
IRSOP |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
|||
|
深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
|
IRNA |
5500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
|||
|
深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
|
BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
|||
|
深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
|
IRSOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
IRSOP |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
IR |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRSOP8 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
|
IRSOP8 |
4550 |
21+ |
全新原装现货 |
|||
|
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
|
IRPLCC44 |
18000 |
23+ |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
SOP8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
IRSOP-8 |
851 |
23+ |
||||
|
深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
|
IRSOP8 |
3685 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
IORSOP-8 |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
|
深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
|
IORSO-8 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
IORSOP8 |
772 |
|||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRSOP-8 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
|
深圳市和悦电子贸易有限公司1年
留言
|
10000 |
0433 |
|||||
|
深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
|
IR |
9852 |
2046+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
IRF7901D1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7901D1图片
IRF7901D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7901D1功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:FETKY™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7901D1PBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN FETKY SO-8
IRF7901D1TR功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:FETKY™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7901D1TRPBF功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:FETKY™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR