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IRF7834	文件：208.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●20VVGSMax.GateRating Applications ●SynchronousMOSFETforNotebookProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETforIsolatedDC-DCConvertersinNetworkingSystems	IRF International Rectifier	IRF
IRF7834PBF	文件：189.47 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●20VVGSMax.GateRating Applications ●SynchronousMOSFETforNotebookProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETforIsolatedDC-DCConvertersinNetworkingSystems	IRF International Rectifier	IRF
IRF7834PBF	文件：206.19 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRF7834PBF_15	文件：206.19 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRF7834TRPBF	文件：1.03626 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MC-7834-KC	文件：86.58 Kbytes Page：2 Pages	870MHzGaAsCATV20dBPUSH-PULLAMPLIFIER DESCRIPTION NECsMC-7834-KCisaGaAsMulti-ChipModuledesignedforuseasinputstagesinCATVapplicationsupto870MHz.BecausethisunitisaGaAsdevice,ithaslowdistortion,lownoisefigure,andlowreturnlossacrosstheentirefrequencyband.TheMC-7834-KCissimilartoNECsstandar	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
MC-7834-KC	文件：234.34 Kbytes Page：3 Pages	NECs870MHzGaAsCATV20dBPUSH-PULLAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
MC-7834-KC-AZ	文件：234.34 Kbytes Page：3 Pages	NECs870MHzGaAsCATV20dBPUSH-PULLAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
TH7834C	文件：180.03 Kbytes Page：13 Pages	VeryHighresolutionLinearCCDImageSensor(12000Pixels)	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
TH7834CCC-RB	文件：180.03 Kbytes Page：13 Pages	VeryHighresolutionLinearCCDImageSensor(12000Pixels)	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel

详细参数

型号：
IRF7834
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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