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IRF7834 | HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems 文件：208.92 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF7834 | 采用 SO-8 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems 文件：189.47 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：206.19 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：206.19 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.03626 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
技术参数
- Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5 W
- Qgd：
9.8 nC
- QG(typ @4.5V)：
29 nC
- RDS (on)(@10V) max：
4.5 mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max：
5.5 mΩ
- RthJAmax：
50 K/W
- Tjmax：
150 °C
- VDSmax：
30 V
- VGS(th)：
1.8 V
- VGSmax：
20 V
- Mounting：
SMD
- Package：
SO-8
- Polarity：
N
- Moisture Sensitivity Level：
1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SOP-8 |
500669 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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IOR |
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SOP-8P |
1500 |
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PLCC44 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
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IR |
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SO-8 |
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SOP-8 |
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