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IRF7907数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF7907

功能描述

30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-23 23:01:00

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IRF7907规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 对 PCB 的热阻低
• 与现有表面封装技术兼容
• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
• 极低的栅极电荷
• 双 N 通道 MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7907

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF7907TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :30 V

  • RDS (on) @10V max

    :11.8 mΩ/16.4 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :13.7 mΩ/20.5 mΩ

  • ID @25°C max

    :9.1 A/11 A

  • QG typ @4.5V

    :6.7 nC/14 nC

  • Polarity

    :N+N/N+N

  • VGS(th) min

    :1.35 V

  • VGS(th) max

    :2.35 V

  • VGS(th)

    :1.8 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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