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IRF7907 | 采用无铅 SO-8 封装的 30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 对 PCB 的热阻低\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 极低的栅极电荷\n• 双 N 通道 MOSFET; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Dual SO-8 MOSFET for POL 文件：331.5 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Improved Body Diode Reverse Recovery 文件：325.9 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFETR Power MOSFET 文件：294.5 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Dual SO-8 MOSFET for POL 文件：331.5 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Improved Body Diode Reverse Recovery 文件：325.9 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：281.71 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：281.71 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 SO-8 封装 | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN：
IRF7907TRPBF
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
SO8
- VDS max：
30 V
- RDS (on) @10V max：
11.8 mΩ/16.4 mΩ
- RDS (on) @4.5V max：
13.7 mΩ/20.5 mΩ
- ID @25°C max：
9.1 A/11 A
- QG typ @4.5V：
6.7 nC/14 nC
- Polarity：
N+N/N+N
- VGS(th) min：
1.35 V
- VGS(th) max：
2.35 V
- VGS(th)：
1.8 V
- Technology：
IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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