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IRF7805PBF	文件：336.6 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET짰 Chip-Set for DC-DC Converters Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make this device ideal for high efficiency DC-DC Converters that power the latest generation of mobile micr 文件：336.6 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRF7805PBF	文件：225.59 Kbytes Page：5 Pages	HEXFET짰 Chip-Set for DC-DC Converters Description These new devices employ advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make them ideal for high efficiency DC-DC Converters that power the latest generation of mobile microproce 文件：225.59 Kbytes 页数：5 Pages	IRF	IRF
IRF7805PBF	文件：230.9 Kbytes Page：5 Pages	N Channel Application Specific MOSFETs 文件：230.9 Kbytes 页数：5 Pages	IRF	IRF
IRF7805PBF-1	文件：338.19 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET짰 Chip-Set for DC-DC Converters Features Industry-standard pinout SO-8 Package Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial qualification Benefits Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliab 文件：338.19 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRF7805PBF_15	文件：230.9 Kbytes Page：5 Pages	N Channel Application Specific MOSFETs 文件：230.9 Kbytes 页数：5 Pages	IRF	IRF
IRF7805PBF-1	文件：195.03 Kbytes Page：6 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：195.03 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7805PBF-1_15	文件：195.03 Kbytes Page：6 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：195.03 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7805PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
30.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
11.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
10.0A
ID (@ TA=25°C) max：
13.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
22.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
6.8nC
VGS max：
12.0V
Tj max：
150.0°C

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