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IRF7495PBF	文件：147.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：147.13 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495PBF	文件：152.53 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：152.53 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495PBF_15	文件：152.53 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：152.53 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495TR	文件：607.94 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：607.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495TRPBF	文件：228.82 Kbytes Page：8 Pages	Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：228.82 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495TRPBF	文件：866.69 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 8 A RDS(ON) 文件：866.69 Kbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP

详细参数

型号：
IRF7495PBF
功能描述：
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 22mOhms 34nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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