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IRF7477	文件：213.54 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Low Charge Ratio to Eliminate False Turn On in High Frequency Circuits Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computers and Communications 文件：213.54 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7477	文件：300 bytes Page：1 Pages	SMPS MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7477PBF	文件：125.99 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Low Charge Ratio to Eliminate False Turn On in High Frequency Circuits Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computers and Communications ● Lead-Free 文件：125.99 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
LA7477W	文件：135.36 Kbytes Page：12 Pages	For Digital Video Camera Audio Signal I/O Interface IC Overview The LA7477W is a digital video camera audio signal I/O interface IC that integrates on a single chip a block previous implemented with discrete components. The LA7477W integrates the volume control circuit used for both headphones and speakers, and thus supports the implementation of cir 文件：135.36 Kbytes 页数：12 Pages	SANYO 三洋	SANYO
V7477W	文件：111.5 Kbytes Page：1 Pages	ASS 0866 HS 文件：111.5 Kbytes 页数：1 Pages	ASSMANNAssmann Electronics Inc. 阿斯曼电子	ASSMANN
V7477WC	文件：107.52 Kbytes Page：1 Pages	ASS 0867 HS 文件：107.52 Kbytes 页数：1 Pages	ASSMANNAssmann Electronics Inc. 阿斯曼电子	ASSMANN

详细参数

型号：
IRF7477
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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