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IRF7488	文件：141.87 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications • High frequency DC-DC converters Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：141.87 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7488	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 80V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7488PBF	文件：151.45 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：151.45 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7488PBF	文件：156.92 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：156.92 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7488PBF_15	文件：156.92 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：156.92 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7488TRPBF	文件：156.92 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：156.92 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
80.0V
RDS (on) max：
29.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
29.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
1.6A
ID (@ TA=25°C) max：
6.3A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
38.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
12.0nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V

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