| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRSOP |
3520 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
|
IRFSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
|
BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
|||
|
深圳市君亿电子科技有限公司3年
留言
|
IRSOP8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
IRSOP |
7540 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRSOP8 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
IRS0P8 |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
IORSOP8 |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
|
深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
|
IORSO-8 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
IORSOP8 |
627 |
05+ |
||||
|
鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
|
IRPLCC-28 |
18000 |
23+ |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRSOP8 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Infineon Technologies8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
|
IRSOP8 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
||||
|
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
|
IRTO-247 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
|
IORSOP8 |
8000 |
23+ |
全新原装现货,欢迎来电咨询 |
|||
|
深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
|
IORSOP8 |
2987 |
22+ |
绝对全新原装现货供应! |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
Infineon Technologies8SOIC |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
|
ir原厂封装 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
IRF7453采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7453图片
IRF7453中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7453功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7453PBF功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7453TR功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7453TRPBF功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
