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IRF7809A	文件：128.08 Kbytes Page：4 Pages	Chipset for DC-DC Converters Description These new devices employ advanced HEXFET® Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make them ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessor 文件：128.08 Kbytes 页数：4 Pages	IRF	IRF
IRF7809A	文件：133.63 Kbytes Page：4 Pages	PROVISIONAL DATASHEET Applications • High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power • High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use • 100 R G Tested Benefits • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Ultra-Low Gate Impedance 文件：133.63 Kbytes 页数：4 Pages	IRF	IRF
IRF7809AV	文件：114.2 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. 文件：114.2 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7809AVPBF	文件：593.59 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. 文件：593.59 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7809AVTR	文件：883.1 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7809；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Description The IRF7809AV has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn-on immunity. The IRF7809AV offers particulary low RDS(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications. The pac 文件：883.1 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7809AVPBF	文件：599.01 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs 文件：599.01 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7809AVPBF_15	文件：599.01 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs 文件：599.01 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7809AVPBF-1	文件：206.2 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：206.2 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7809AVPBF-1_15	文件：206.2 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：206.2 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7809AVTRPBF	文件：599.01 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs 文件：599.01 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7809AVTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @4.5V max：
9 mΩ
ID @25°C max：
13.3 A
QG typ @4.5V：
41 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
Technology：
IR MOSFET™

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