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IRF7832	文件：211.13 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating ● 100 tested for Rg Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters 文件：211.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832	文件：268.01 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating ● 100 tested for Rg Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters 文件：268.01 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832	文件：666.31 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100 EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology 文件：666.31 Kbytes 页数：4 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7832	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 超低的栅极阻抗;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7832PBF	文件：262.9 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating ● 100 tested for Rg Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Convert 文件：262.9 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832TR	文件：268.01 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating ● 100 tested for Rg Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters 文件：268.01 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832Z	文件：265.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating ● 100 tested for Rg Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters 文件：265.32 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832ZPBF	文件：265.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating ● Lead-Free ● 100 tested for Rg Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-D 文件：265.95 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832PBF	文件：268.46 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：268.46 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832PBF_15	文件：268.46 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：268.46 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7832TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
4 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
4.8 mΩ
ID @25°C max：
20 A
QG typ @4.5V：
34 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.39 V
VGS(th) max：
2.32 V
VGS(th)：
1.86 V
Technology：
IR MOSFET™

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