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IRF7832PBF-1	文件：254.73 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：254.73 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832PBF-1_15	文件：254.73 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：254.73 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832TRPBF	文件：268.46 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：268.46 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832Z	文件：270.89 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：270.89 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832ZTR	文件：270.89 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：270.89 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7832PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7832Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7832TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
4 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
4.8 mΩ
ID @25°C max：
20 A
QG typ @4.5V：
34 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.39 V
VGS(th) max：
2.32 V
VGS(th)：
1.86 V
Technology：
IR MOSFET™

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