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IS725	文件：53.9 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGEDARLINGTONOUTPUTOPTICALLYCOUPLEDISOLATOR DESCRIPTION TheIS725isanopticallycoupledisolatorconsistingofinfraredlightemittingdiodeandahighvoltageNPNsiliconphotodarlingtonwhichhasanintegralbase-emitterresistortooptimiseswitchingspeedandelevatedtemperaturecharacteristicsinastandard6pindualinlineplast	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
IS725	文件：83.55 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGEDARLINGTONOUTPUTOPTICALLYCOUPLEDISOLATOR	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
IS725X	文件：83.55 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGEDARLINGTONOUTPUTOPTICALLYCOUPLEDISOLATOR	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
KDR725U	文件：22.67 Kbytes Page：1 Pages	USQPACKAGE FORHIGHSPEEDSWITCHINGCIRCUIT FORSMALLCURRENTRECTIFICATION FEATURES •LowForwardVoltage:VF=0.55V(Max). •IO=200mArecificationpossible.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KM725N	文件：110.02 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableShieldedRFCoil(I)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM725N	文件：133.9 Kbytes Page：1 Pages	10mmADJUSTABLERFCOILS(SHIELDED)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM725N-LFR	文件：110.02 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableShieldedRFCoil(I)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KRA725E	文件：113.49 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●ᴌWithBuilt-inBiasResistors. ●ᴌSimplifyCircuitDesign. ●ᴌReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●ᴌHighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA725T	文件：68.01 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighOutputCurrent:-800mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA725U	文件：113.83 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
LF725RW	文件：230.71 Kbytes Page：2 Pages	WideInput,7.5WSMTSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
LM725	文件：495.87 Kbytes Page：11 Pages	OperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM725CH	文件：495.87 Kbytes Page：11 Pages	OperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM725CN	文件：495.87 Kbytes Page：11 Pages	OperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LT725	文件：161.38 Kbytes Page：4 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLT725isa2-FormAsolidstaterelayina8pinSMDpackagethatemploysoptically coupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutputisolation.The opticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfraredLEDand MOSFETsontheoutputside	LETEXLETEX technology corp 台湾丽太丽太科技股份有限公司	LETEX
LTV-725F	文件：191.97 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLITE-ONOnly FEATURES Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
LTV-725F	文件：230.24 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLITE-ONOnly FEATURES Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l	TENANDShenzhen Tenand Technology Co., Ltd. 腾恩深圳市腾恩科技有限公司	TENAND
LTV-725FM	文件：191.97 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLITE-ONOnly FEATURES Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
LTV-725FM	文件：230.24 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLITE-ONOnly FEATURES Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l	TENANDShenzhen Tenand Technology Co., Ltd. 腾恩深圳市腾恩科技有限公司	TENAND
LTV-725FS	文件：191.97 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLITE-ONOnly FEATURES Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF725SPBF供应商更新时间2024-9-23 15:01:00

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