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IRF7402	文件：136.18 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well know 文件：136.18 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7402	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 20V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7402PBF	文件：188.79 Kbytes Page：8 Pages	Generation V Technology Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well know 文件：188.79 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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IRF7402PBF_15	文件：188.79 Kbytes Page：8 Pages	Generation V Technology 文件：188.79 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
20.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
35.0mΩ
RDS (on)(@2.7V) max：
50.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
5.4A
ID (@ TA=25°C) max：
6.8A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
14.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
VGS max：
12.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
6.3nC
Tj max：
150.0°C

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更多IRF7402供应商更新时间2025-10-12 10:51:00

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