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IRF7329

HEXFET POWER MOSFET

HEXFET Power MOSFET • Trench Technology • Ultra Low On-Resistance • Dual P-Channel MOSFET • Low Profile (

文件:318.07 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF7329

采用 SO-8 封装的 -12V 双 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 双 P 通道 MOSFET;

Infineon

英飞凌

IRF7329PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:173.71 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF7329PBF

Ultra Low On-Resistance

文件:179.21 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF7329PBF

Trench Technology

文件:179.21 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF7329PBF_15

Ultra Low On-Resistance

文件:179.21 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF7329TRPBF

Trench Technology

文件:179.21 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

技术参数

  • Package :

    SO-8

  • VDS max:

    -12.0V

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    17.0mΩ

  • RDS (on)(@2.5V) max:

    21.0mΩ

  • Polarity :

    P+P

  • ID (@ TA=25°C) max:

    -9.2A

  • ID (@ TA=70°C) max:

    -7.4A

  • Ptot(@ TA=25°C) max:

    2.0W

  • QG :

    38.0nC 

  • Qgd(typ) :

    8.1nC 

  • RthJA max:

    62.5K/W

  • Tj max:

    150.0°C

  • VGS max:

    8.0V

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

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更多IRF7329供应商 更新时间2025-10-3 16:20:00