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IRF7420	文件：110.12 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These P-Channel HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件：110.12 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7420	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 -12V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 符合行业标准的引脚\n• P 通道MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7420PBF	文件：173.21 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These P-Channel HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件：173.21 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7420PBF	文件：159.41 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：159.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7420PBF_15	文件：159.41 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：159.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7420PBF-1	文件：196.18 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：196.18 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7420PBF-1_15	文件：196.18 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：196.18 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7420PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	-12V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS ，无卤素\n• 符合MSL1，工业认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7420TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-12 V
RDS (on) @4.5V max：
14 mΩ
ID @25°C max：
-11.5 A
QG typ @4.5V：
38 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-0.4 V
VGS(th) max：
-0.9 V
VGS(th)：
-0.65 V
Technology：
IR MOSFET™

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