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IRF7420PBF	文件：173.21 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseP-ChannelHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRF International Rectifier	IRF
IRF7420PBF	文件：159.41 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7420PBF_15	文件：159.41 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7420PBF-1	文件：196.18 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package	IRF International Rectifier	IRF
IRF7420PBF-1_15	文件：196.18 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package	IRF International Rectifier	IRF
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ISO7420D	文件：432.98 Kbytes Page：20 Pages	Low-PowerDualDigitalIsolators	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
IRF7420
功能描述：
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多IRF7420供应商更新时间2025-5-22 10:21:00

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