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IRF7459	文件：112.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=12A) Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use ● High Frequency Buck Converters for Computer Processor 文件：112.25 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7459	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=12A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7459PBF	文件：156.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use ● High Frequency Buck Converters for Computer Processor 文件：156.34 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7459TRPBF	文件：112.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=12A) Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use ● High Frequency Buck Converters for Computer Processor 文件：112.25 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7459TRPBF	文件：737.492 Kbytes Page：5 Pages	SOP8 N 20V 6MR 文件：737.492 Kbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯 PDF上传者：深圳市凯睿晟科技有限公司	Bychip

详细参数

型号：
IRF7459
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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