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IRF7325	文件：241.84 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description NewP-ChannelHEXFETpowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	IRF International Rectifier	IRF
IRF7325PBF	文件：126.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description NewP-ChannelHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	IRF International Rectifier	IRF
KRF7325	文件：66.74 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
M7325	文件：523.02 Kbytes Page：6 Pages	M7325SERIESDC/DCPOWERSUPPLY PRODUCTHIGHLIGHTS MINIATURE HIGHDENSITY SINGLEOUTPUT DC/DCCONVERTER UPTO500W Applications Military(Airborne,ground-fix,shipboard),Ruggedized,Telecom,Industrial SpecialFeatures •Miniaturesize •Highefficiency •Wideinputrange •VeryLowoutputimpedance (Typical:	ENERCON Enercon Technologies Europe AG	ENERCON
MAX7325	文件：971.23 Kbytes Page：17 Pages	I2CPortExpanderwith12Push-PullOutputsand4Open-DrainI/Os	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX7325	文件：1.00878 Mbytes Page：17 Pages	I2CPortExpanderwith8Push-Pulland8Open-DrainI/Os	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX7325	文件：155.47 Kbytes Page：8 Pages	InputPortsareOvervoltageProtectedto6V	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX7325	文件：261.62 Kbytes Page：20 Pages	I2CPortExpanderwithEightPush-PullOutputsandEightInputs	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX7325	文件：260.51 Kbytes Page：19 Pages	I2CPortExpanderwith8Push-Pulland8Open-DrainI/Os	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX7325AEG/V+	文件：1.00878 Mbytes Page：17 Pages	I2CPortExpanderwith8Push-Pulland8Open-DrainI/Os	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

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详细参数

型号：
IRF7325
功能描述：
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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