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IRF7325	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7325PBF	文件：126.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description New P-Channel HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer 文件：126.82 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
KRF7325	文件：66.74 Kbytes Page：2 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：66.74 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
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MAX7325	文件：261.62 Kbytes Page：20 Pages	I2C Port Expander with Eight Push-Pull Outputs and Eight Inputs 文件：261.62 Kbytes 页数：20 Pages	Maxim 美信	Maxim

详细参数

型号：
IRF7325
功能描述：
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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