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IRF740B	文件：894.8 Kbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF740B	文件：290.76 Kbytes Page：8 Pages	Low area specific on-resistance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740B	文件：170.72 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRF740FI	文件：63.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF740FP	文件：208.42 Kbytes Page：3 Pages	10A400VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF740LC	文件：203.55 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740LC	文件：161.63 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740LCPBF	文件：1.70052 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF740B
功能描述：
MOSFET 400V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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