HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,

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IRF

20V 单个 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET， 采用 SO-8 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 双 N 通道和 P 通道 MOSFET;

Infineon

英飞凌

N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features • N-Channel: 30V, 10A RDS(ON)

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Bychip

百域芯

丝印：F7101；Package：SO-8；

Generartion V Technology

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Infineon

英飞凌

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

GENERATION V TECHNOLOGY

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IRF

GENERATION V TECHNOLOGY

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IRF

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.44751 Mbytes 页数：14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Generation V Technology

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IRF