| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRSOP-8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRSOP-8 |
9100 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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华星微半导体（深圳）有限公司1年
留言
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irN/A |
5000 |
23+ |
代理分销,可追溯 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
960 |
10+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRSO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRSOP-8 |
10000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
12000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRSOP-8 |
9865 |
23+/24+ |
主推型号,原装正品,终端BOM表可配单,可开13点税 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRSO-8 |
4000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRSOP-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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4000 |
15+ |
SO-8 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌SOIC-8_150mil |
15644 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
18414 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINEON8-SOIC |
55000 |
2019 |
原装进口假一罚十 |
IRF7331采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7331图片
IRF7331TRPBF价格
IRF7331TRPBF价格：￥2.3139品牌：International
生产厂家品牌为International的IRF7331TRPBF多少钱，想知道IRF7331TRPBF价格是多少？参考价：￥2.3139。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF7331TRPBF批发价格及采购报价，IRF7331TRPBF销售排行榜及行情走势，IRF7331TRPBF报价。
IRF7331中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7331功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7331PBF功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7331PBF_08制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET
IRF7331TR功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7331TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 7A 8-Pin SOIC T/R
IRF7331TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 7.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7331TRPBF-EL制造商:International Rectifier
