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IRF7331	文件：215.65 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These N-Channel HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件：215.65 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7331	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 双 N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7331PBF	文件：220.51 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：220.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7331PBF	文件：220.51 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET 文件：220.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7331PBF	文件：129.15 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：129.15 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7331PBF_08	文件：220.51 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET 文件：220.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7331PBF_15	文件：220.51 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：220.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7331PBF-1	文件：200.58 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：200.58 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7331PBF-1_15	文件：200.58 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：200.58 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7331PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
20.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
30.0mΩ
RDS (on)(@2.7V) max：
45.0mΩ
Polarity ：
N+N
ID (@ TA=70°C) max：
5.5A
ID (@ TA=25°C) max：
7.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.0W
QG ：
13.0nC
RthJA max：
62.5K/W
Qgd(typ) ：
2.1nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
12.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1

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