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中天科工半导体（深圳）有限公司

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恩XP原装

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恩XPN/A

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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UMW 友台SOT-23-3

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恩XP

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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Nexperia/安世SOT323

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恩XPSOT23-3

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Nexperia/安世SOT323

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恩XPSOT-23

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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恩XPN/A

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ROHM/罗姆SOT-23

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深圳市毅创辉电子科技有限公司

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BC857B

恩XPN/A

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深圳市金芯阳科技有限公司

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深圳市讯顺达科技有限公司

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Slkor/萨科微SOT-23

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Slkor/萨科微一级代理,价格优势

深圳市河锋鑫科技有限公司

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BC857B

恩XPSOT-23-3

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BC857B功能描述:两极晶体管 - BJT 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC857B /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC857B,215功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GP 100MA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC857B,235功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC857B-7功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC857B-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC857BB5000XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

BC857BB5003XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

BC857BDW1T1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC857BDW1T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    BC857B

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    剪切带（CT）带盒（TB）

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    650mV @ 5mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    220 @ 2mA，5V

  • 频率 - 跃迁：

    100MHz

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商器件封装：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3

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