| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市千科宇科技有限公司1年
留言
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FOSAN/富信SOT-23 |
30000 |
24+ |
富信一级代理SOT-23.89.123.323封装全系列二三极管MOS管 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司14年
留言
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恩XPSOT-23-3 |
45000 |
24+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司12年
留言
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UMW 友台SOT-23-3 |
24000 |
23+ |
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原装正品，实单请联系 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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恩XPSOT-23 |
504149 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市莱克讯科技有限公司9年
留言
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恩XPSOT23 |
6800 |
最新 |
全新原装公司现货低价 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司2年
留言
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恩XPN/A |
70000 |
2024+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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深圳市科芯源微电子有限公司7年
留言
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PHISOT-23 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司2年
留言
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UMW(广东友台半导体)SOT-23-3 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司3年
留言
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恩XPSOT23-3 |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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深圳市讯顺达科技有限公司6年
留言
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Slkor/萨科微SOT-23 |
50000 |
24+ |
Slkor/萨科微一级代理,价格优势 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司7年
留言
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恩XPSOT23 |
660000 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司5年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
60000 |
21+ |
专注NXP/只做原装 |
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深圳市千科宇科技有限公司1年
留言
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FOSAN/富信SOT-23 |
30000 |
24+ |
正规渠道原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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恩XPN/A |
8048 |
24+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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恩XPSOT23-3 |
25000 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司10年
留言
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恩XPSOT-23 |
22800 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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恩XPN/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司13年
留言
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恩XPSOT-23 |
500000 |
2410+ |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
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深圳市中联芯电子有限公司12年
留言
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NEXPERIASOT23 |
300000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司6年
留言
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恩XPSOT23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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BC857B,215价格
BC857B,215价格：￥0.0394品牌：恩XP
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BC857B,215 NXP/恩智浦 21+ SOT-23
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BC857BW只有原装-只有正品-12年渠道积累
深圳市天芯半导体科技有限公司0755-8272566017727837185（微信75056055）QQ：177691499
BC857BW
型号：BC857BW厂商：BC857BW封装SOT32库存：19650pcs
BC857BW 深圳旭亨半导体有限公司
型号：BC857BW厂商：NXP封装：SOT32库存22880GCS
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深圳市鑫欧美电子有限公司，0755-82708963张小姐
BC857BS 全新进口原装 假一罚十 价格优势
顺港伟业是一家专业电子元器件分销机构
BC857B中文资料Alldatasheet PDF
更多BC857B功能描述:两极晶体管 - BJT 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B,215功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GP 100MA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B,235功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B-7功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857BB5000XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BC857BB5003XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BC857BDW1T1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857BDW1T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BC857B
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
