BC857B
文件:47.94Kbytes
Page:8Pages
PNP general purpose transistors
PhilipsROYAL PHILIPS
飞利浦荷兰皇家飞利浦
BC857B
文件:44.9Kbytes
Page:5Pages
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
STSTMicroelectronics
意法半导体意法半导体集团
BC857B
文件:363.71Kbytes
Page:3Pages
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
TRSYSTransys Electronics
Transys Electronics
BC857B
文件:25.94Kbytes
Page:1Pages
PNP General Purpose Transistor
ROHMRohm Semiconductor
罗姆罗姆半导体集团
BC857B
文件:40.46Kbytes
Page:5Pages
PNP General Purpose Amplifier
FairchildFairchild Semiconductor
仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC857B
文件:68.65Kbytes
Page:5Pages
Switching and Amplifier Applications
FairchildFairchild Semiconductor
仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC857B
文件:271.92Kbytes
Page:8Pages
PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)
SIEMENS
Siemens Ltd
BC857B
文件:44.95Kbytes
Page:3Pages
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
DIODES
DIODES
BC857B
文件:106.98Kbytes
Page:2Pages
PNP Small Signal Transistor 310mW
MCCMicro Commercial Components
美微科Micro Commercial Components
BC857B
文件:186.97Kbytes
Page:2Pages
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
DiotecDIOTEC
德欧泰克
BC857B
文件:95.23Kbytes
Page:4Pages
General Purpose Transistor PNP Silicon
WEITRONWEITRON
威堂電子科技
BC857B
文件:269.83Kbytes
Page:4Pages
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
DIODES
DIODES
BC857B
文件:88.23Kbytes
Page:3Pages
0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors
TSCTSC Group Holdings Limited
TSC集团控股有限公司
BC857B
文件:97.57Kbytes
Page:4Pages
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
PANJITPANJIT International Inc.
强茂
BC857B
文件:202.38Kbytes
Page:4Pages
NPN general purpose Transistor
BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
BC857B
文件:165.1Kbytes
Page:3Pages
SMD General Purpose Transistor (PNP)
TAITRON
TAITRON
BC857B
文件:69.08Kbytes
Page:3Pages
PNP Transistor
KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD
科信广东科信实业有限公司
BC857B
文件:119.84Kbytes
Page:4Pages
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
DIODES
DIODES
BC857B
文件:590.53Kbytes
Page:2Pages
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)
RECTRONRECTRON LTD
瑞创深圳市瑞创科技有限公司
BC857B
文件:102.17Kbytes
Page:3Pages
PNP Small Signal Transistor310mW
MCCMicro Commercial Components
美微科Micro Commercial Components
NXP
13+
(SOT-23)
18063
绝对原装公司现货
NXP
18+
SOT23
26800
只做原装,现货优势热卖,可出样品。
NXP正品专卖
2021+
SOD
16355
绝对现货原包装假一赔十
NXP
21+
SOT-23-3
66800
二三极管MOS管-可开原型号增税票
NEXPERIA
21+
SOT-23
12000
只做原装,假一罚十!
NXP
0811+
SOT23
45000
原装现货库存
NXP
1240
QFP
165000
进口原装假一赔十深圳公司现货。可以上门看货。
215
18873000
15+
0
原厂原装
NXP
13+
SOD
16500
原装现货价格优惠
PHILIPS
21+
SOT23
8000
原装现货请来电咨询
BC857B功能描述:两极晶体管 - BJT 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B _R1 _00001制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC857B,215功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GP 100MA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B,235功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B/DG/B2,235制造商:NXP Semiconductors 功能描述:- Tape and Reel
BC857B_ R2 _00001制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC857B-13-F制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
BC857B215制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -45V -100MA 3
BC857B-7功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857B-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857BB5000制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BC857BB5000XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BC857BB5003XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BC857BDW1T1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857BDW1T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC857BE6327制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BC857BE-6327制造商:Siemens 功能描述:
BC857BE6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP AF 45V SOT-23
BC857BE6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
