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SI7905DN	文件：553.51 Kbytes Page：13 Pages	Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowThermalResistancePowerPAK® PackagewithSmallSizeandLow1.07mm Profile •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7905DN	文件：552.98 Kbytes Page：13 Pages	Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7905DN_V01	文件：553.51 Kbytes Page：13 Pages	Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowThermalResistancePowerPAK® PackagewithSmallSizeandLow1.07mm Profile •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7905DN-T1-GE3	文件：556.75 Kbytes Page：13 Pages	Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SJ7905	文件：457.47 Kbytes Page：5 Pages	3-TerminalNegativeVoltageRegulator	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SJ7905A	文件：444.03 Kbytes Page：5 Pages	3-TerminalNegativeVoltageRegulator	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SLA7905	文件：188.71 Kbytes Page：4 Pages	CMOSHIGHSPEEDGATEARRAY DESCRIPTION TheSLA7000Seriesconsistsofagroupof6CMOSgatearrayswithgatecountsfrom1,632to16,250gates.Theseriesisfabricatedutilizingour1.5micronhighspeedCMOSsilicongatetechnologytoachievepropagationdelaysof1.0nsfortheinternalgates.AllI/ObuffersareTTLan	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SN7905D	文件：559.15 Kbytes Page：17 Pages	3Terminal1ANegativeVoltageRegulator	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SN7905PI	文件：559.15 Kbytes Page：17 Pages	3Terminal1ANegativeVoltageRegulator	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STX7905	文件：56.39 Kbytes Page：2 Pages	1AMP600VOLTSNPNTRANSISTOR FEATURES: •BVCBO600V. •FastSwitching. •LowLeakage. •LowSaturationVoltage. •200°COperating,GoldEutecticDieAttach. •DesignedforComplementaryUsewithSTX6905.	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

详细参数

型号：
SI7905DN
功能描述：
MOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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