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SI7998DP-T1-GE3

文件：394.88 Kbytes

Page：18 Pages

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •PWMoptimized •100UIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •SystemPowerDC/DC

VishayVishay Siliconix

威世科技

详细参数

型号：
SI7998DP-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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