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IRF7311	文件：2.087889 Mbytes Page：6 Pages	Marking：IRF7311；Package：SOP-8；30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralDescription Theisthehighestperformancetrench 2N-chMOSFETswithextremehighcelldensity, whichprovideexcellentRDSONandgatecharge formostofthesmallpowerswitchingand loadswitchapplications.ThemeettheRoHSand Productrequirementwithfullfunctionreliabilitya	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7311	文件：2.21333 Mbytes Page：6 Pages	Marking：IRF7311；Package：SOP-8；30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralDescription 2N-chMOSFETswithextremehighcelldensity, whichprovideexcellentRDSONandgatecharge formostofthesmallpowerswitchingand loadswitchapplications.ThemeettheRoHSand Theisthehighestperformancetrench Productrequirementwithfullfunctionreliabilitya	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7311	文件：209.23 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7311	文件：677.73 Kbytes Page：7 Pages	Ultra Low On-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF7311PBF	文件：1.97488 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7311TR	文件：214.79 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7311TR	文件：2.087889 Mbytes Page：6 Pages	Marking：IRF7311；Package：SOP-8；30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralDescription Theisthehighestperformancetrench 2N-chMOSFETswithextremehighcelldensity, whichprovideexcellentRDSONandgatecharge formostofthesmallpowerswitchingand loadswitchapplications.ThemeettheRoHSand Productrequirementwithfullfunctionreliabilitya	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7311PBF	文件：1.97878 Mbytes Page：7 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7311PBF_15	文件：1.97878 Mbytes Page：7 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7311TRPBF	文件：1.01683 Mbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
IRF7311
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 20V 6.6A 8PIN SO - Rail/Tube

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更多IRF7311供应商更新时间2025-5-7 11:12:00

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