丝印：IRF7316；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET

Features ® Vbs(v)=-30V ® Roson)

文件：392.68 Kbytes 页数：7 Pages

UMW

友台半导体

丝印：F7316；Package：SOP-8；-30V PP-Channel Enhancement Mode MOSFET

GENERAL FEATURES ● VDS = -30V b = -8 A ● ROS(ON)

文件：3.06247 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

Dual P-Channel MOSFET

Features Vs (v)=-30V Rpson)

文件：364.15 Kbytes 页数：7 Pages

EVVOSEMI

翊欧

HEXFET POWER MOSFET

Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below.

文件：237.94 Kbytes 页数：7 Pages

IRF

丝印：IRF7316；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET

Features Vs (v)=-30V Rpson)

文件：364.15 Kbytes 页数：7 Pages

EVVOSEMI

翊欧

丝印：IRF7316；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET

Features ® Vbs(v)=-30V ® Roson)

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UMW

友台半导体

HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 双 P 通道 MOSFET;

Infineon

英飞凌

-30V PP-Channel Enhancement Mode MOSFET

GENERAL FEATURES ● VDS = -30V b = -8 A ● ROS(ON)

文件：3.06247 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

Generation V Technology

文件：231.25 Kbytes 页数：7 Pages

IRF

HEXFET짰Power MOSFET

文件：203.91 Kbytes 页数：7 Pages

IRF