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IRF7316PBF

GENERATION V TECHNOLOGY

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IRF

IRF7316PBF

Generation V Technology

文件:209.43 Kbytes 页数:7 Pages

IRF

IRF7316PBF_15

GENERATION V TECHNOLOGY

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IRF

IRF7316PBF-1

Industry-standard pinout SO-8 Package

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IRF

IRF7316PBF-1_15

Industry-standard pinout SO-8 Package

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IRF

IRF7316QPBF

HEXFET Power MOSFET

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IRF

IRF7316TRPBF

Generation V Technology

文件:209.43 Kbytes 页数:7 Pages

IRF

IRF7316PBF-1

-30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

Infineon

英飞凌

IRF7316QPBF

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF7316TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    SO8

  • VDS max:

    -30 V

  • RDS (on) @10V max:

    58 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    98 mΩ

  • ID @25°C max:

    -4.9 A

  • QG typ @10V:

    23 nC

  • Polarity:

    P+P

  • VGS(th) min:

    -1 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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更多IRF7316供应商 更新时间2026-10-26 15:08:00