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IRF7416	文件：435.63 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7416；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Low On-Resistance P-Channel Mosfet Surface Mount dv/dt Rating Fast Switching FEATURES 文件：435.63 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7416	文件：336.68 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES Low On-Resistance P-Channel Mosfet Surface Mount dv/dt Rating Fast Switching 文件：336.68 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7416	文件：116.36 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：116.36 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7416TR	文件：336.68 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7416；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES Low On-Resistance P-Channel Mosfet Surface Mount dv/dt Rating Fast Switching 文件：336.68 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7416TR	文件：435.63 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7416；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Low On-Resistance P-Channel Mosfet Surface Mount dv/dt Rating Fast Switching FEATURES 文件：435.63 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7416	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7416PBF	文件：201.72 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：201.72 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7416GPBF	文件：241.88 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology 文件：241.88 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7416PBF	文件：242.74 Kbytes Page：9 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：242.74 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7416PBF_15	文件：242.74 Kbytes Page：9 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：242.74 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7416TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
20 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
35 mΩ
ID @25°C max：
-10 A
QG typ @10V：
61 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-2.04 V
VGS(th)：
-1.52 V
Technology：
IR MOSFET™

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