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IRF7389	文件：443.24 Kbytes Page：10 Pages	丝印：IRF7389；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: e VbDs (v=30V ® RbsEN) 文件：443.24 Kbytes 页数：10 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7389	文件：420.47 Kbytes Page：10 Pages	Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: VDS (V)=30V RDS(ON) 文件：420.47 Kbytes 页数：10 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7389	文件：214.47 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：214.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389TR	文件：420.47 Kbytes Page：10 Pages	丝印：IRF7389；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: VDS (V)=30V RDS(ON) 文件：420.47 Kbytes 页数：10 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7389TR	文件：443.24 Kbytes Page：10 Pages	丝印：IRF7389；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: e VbDs (v=30V ® RbsEN) 文件：443.24 Kbytes 页数：10 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7389	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 双 N 通道和 P 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7389PBF	文件：259.269 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：259.269 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	Generation V Technology 文件：264.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389TR	文件：220.05 Kbytes Page：10 Pages	Generation v technology 文件：220.05 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389TRPBF	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	Generation V Technology 文件：264.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7389TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
29 mΩ/58 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
46 mΩ/98 mΩ
ID @25°C max：
7.3 A/-5.3 A
QG typ @10V：
22 nC/23 nC
Polarity：
N+P
VGS(th) min：
-1 V/1 V
Technology：
IR MOSFET™

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