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IRF7450	文件：102.53 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Applications • High frequency DC-DC converters Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：102.53 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7450	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 经过充分验证的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7450_04	文件：176.21 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET 文件：176.21 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7450PBF	文件：176.21 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET 文件：176.21 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7450PBF	文件：181.65 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：181.65 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7450PBF	文件：181.65 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：181.65 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7450PBF_15	文件：181.65 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：181.65 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7450TRPBF	文件：181.65 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：181.65 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
200.0V
RDS (on)(@10V) max：
170.0mΩ
RDS (on) max：
170.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
1.7A
ID (@ TA=25°C) max：
2.5A
Ptot(@ TA=25°C) max：
3.0W
QG ：
26.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
12.0nC
VGS max：
30.0V
Tj max：
150.0°C

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更多IRF7450供应商更新时间2025-10-6 16:12:00

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