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IRF7379	文件：215.39 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRF7379PBF	文件：225.13 Kbytes Page：10 Pages	Generation V Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7379PBF_15	文件：225.13 Kbytes Page：10 Pages	Generation V Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7379QPBF	文件：245.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7379TRPBF	文件：1.44919 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
7379	文件：338.27 Kbytes Page：1 Pages	LEDSPACERMOUNTS [KEYSTONE] “UNIVERSAL”FORT-1&T-13/4 •UniquedesignseparatesleadsandretainsTri-LeadandBi-Leadcomponents. •DesignedforPCboardmountingofTri-LeadandBi-LeadT-1andT-13/4LEDS •Providesheightcontrol,leadretentionandstability. •Alsosuitableformountinglamps	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
7379	文件：114.98 Kbytes Page：2 Pages	LEDSPACERMOUNTS [KEYSTONE] “UNIVERSAL”FORT-1&T-13/4 •UniquedesignseparatesleadsandretainsTri-LeadandBi-Leadcomponents. •DesignedforPCboardmountingofTri-LeadandBi-LeadT-1andT-13/4LEDS •Providesheightcontrol,leadretentionandstability. •Alsosuitableformountinglamps	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
AUIRF7379Q	文件：238.86 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRF7379Q	文件：355.26 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRF7379QTR	文件：355.26 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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BX7379	文件：71.99 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp
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CD7379CZ	文件：735.03 Kbytes Page：7 Pages	4횞13-2횞38Waudiopoweramplifiercircuit	YONGFUKANGShenzhenshi YONGFUKANG Technology co.,LTD 永福康深圳市永福康科技有限公司
EN7379A	文件：487.92 Kbytes Page：7 Pages	HighCurrentSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
EN7379A	文件：576.08 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor-50V,-3A,LowVCE(sat),PNPSingleNMP BipolarTransistor -50V,-3A,LowVCE(sat),PNPSingleNMP Features •AdoptionofMBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching Applicaitons •DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motordrivers,strobes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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FP7379PM	文件：121.01 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp

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详细参数

型号：
IRF7379
功能描述：
MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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