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IRF7379	文件：215.39 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：215.39 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7379	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 双 N 通道和 P 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7379IPBF	文件：201.56 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：201.56 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7379PBF	文件：219.63 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：219.63 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7379PBF	文件：225.13 Kbytes Page：10 Pages	Generation V Technology 文件：225.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7379PBF_15	文件：225.13 Kbytes Page：10 Pages	Generation V Technology 文件：225.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7379QPBF	文件：245.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：245.14 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7379TRPBF	文件：1.44919 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.44919 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF7379IPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7379QPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
30.0V
RDS (on) max：
90.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
90.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
180.0mΩ
Polarity ：
N+P
ID (@ TA=70°C) max：
4.6A
ID (@ TA=25°C) max：
5.8A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
16.7nC
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd(typ) ：
6.0nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V
RthJA max：
50.0K/W

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