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IRF7379数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF7379

功能描述

30V 单个 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 20:00:00

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IRF7379规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 双 N 通道和 P 通道 MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7379

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SO-8

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on) max

    :90.0mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :90.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :180.0mΩ

  • Polarity 

    :N+P

  • ID (@ TA=70°C) max

    :4.6A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :5.8A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.5W

  • QG 

    :16.7nC 

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd(typ) 

    :6.0nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • RthJA max

    :50.0K/W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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