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IRF7342PBF-1数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF7342PBF-1

功能描述

-55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7342PBF-1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :-55.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :105.0mΩ

  • RDS (on) max

    :105.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :170.0mΩ

  • Polarity 

    :P+P

  • ID (@ TA=25°C) max

    :-3.4A

  • ID (@ TA=70°C) max

    :-2.7A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.0W

  • QG 

    :26.0nC 

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Tj max

    :150.0°C

  • Qgd(typ) 

    :8.4nC 

  • RthJA max

    :62.5K/W

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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NA/
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IR
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