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IRF7341G数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF7341G

功能描述

55V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7341G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF7341GTRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :55 V

  • RDS (on) @10V max

    :50 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :65 mΩ

  • ID @25°C max

    :5.1 A

  • QG typ @10V

    :29 nC

  • Polarity

    :N+N/N+N

  • VGS(th) min

    :1 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
19804
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Infineon/英飞凌
24+
SO8
6000
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23+
SO8
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Infineon/英飞凌
23+
SO8
12700
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Infineon(英飞凌)
23+
SO-8
19850
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Infineon/英飞凌
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Infineon(英飞凌)
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