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IRF7351数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF7351

功能描述

60V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 20:03:00

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IRF7351规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 与现有表面封装技术兼容
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 超低的栅极阻抗
• 双 N 通道 MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7351

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF7351TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :60 V

  • RDS (on) @10V max

    :17.8 mΩ

  • ID @25°C max

    :8 A

  • QG typ @10V

    :24 nC

  • Polarity

    :N+N/N+N

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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