IRF7351中文资料60V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书
IRF7351规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 与现有表面封装技术兼容
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 超低的栅极阻抗
• 双 N 通道 MOSFET
技术参数
- 制造商编号
:IRF7351
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRF7351TRPBF
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:SO8
- VDS max
:60 V
- RDS (on) @10V max
:17.8 mΩ
- ID @25°C max
:8 A
- QG typ @10V
:24 nC
- Polarity
:N+N/N+N
- VGS(th) min
:2 V
- VGS(th) max
:4 V
- VGS(th)
:3 V
- Technology
:IR MOSFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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24+ |
SOIC-8_150mil |
25000 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
100000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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IR |
24+ |
SOP-8 |
500597 |
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IR |
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SOP-8 |
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IR |
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SOP-8 |
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原装正品支持实单 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
SOIC-8_150mil |
6820 |
只做原装,质量保证 |
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IR |
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IR |
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SOIC8 |
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