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IRF7379QPBF数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号：
IRF7379QPBF
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
1354 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IR |
2016+ |
SOP8 |
6528 |
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IR |
24+ |
SOIC8 |
4000 |
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IR |
21+ |
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INTREC |
23+ |
NA |
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Infineon Technologies |
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IR |
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IR |
24+ |
SOP-8 |
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IR |
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SOP8 |
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IR |
24+ |
SOP8 |
5000 |
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