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IRF7379QPBF

HEXFET Power MOSFET

文件:245.14 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7379QPBF

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

IRF7379TRPBF

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.44919 Mbytes 页数:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

KRF7379

HEXFET Power MOSFET

文件:65.96 Kbytes 页数:3 Pages

KEXIN

科信电子

S7379

65 watt; T5 Compact Fluorescent; 6500K; 82 CRI; Mogul base; 120 volts

文件:125.62 Kbytes 页数:1 Pages

SATCO

详细参数

  • 型号:

    IRF7379QPBF

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
24+
SOP8
5000
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INTREC
23+
NA
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International Rectifier
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INFINEON/英飞凌
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IR
23+
SOIC8
8000
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更多IRF7379QPBF供应商 更新时间2026-1-26 16:30:00