| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
9518 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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12年
留言
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IRN/A |
8000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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12年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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11年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
6000 |
26+ |
原装现货假一赔十 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
8 |
08+ |
原装进口无铅现货 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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11年
留言
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VISHAYTO-263-3 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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13年
留言
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VISHAYTO-263-3 |
9865 |
26+ |
优势库存.原装正品.终端BOM表可配单 |
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5年
留言
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VISHAY |
3200 |
22+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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16年
留言
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IRTO-263 |
65400 |
23+ |
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4年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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7年
留言
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VISHAYN/A |
39800 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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4年
留言
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VISHAY(威世)N/A |
23500 |
23+ |
最新到货,只做原装进口 |
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4年
留言
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VISHAYTO-263-3 |
50000 |
20+ |
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2年
留言
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IRD2-PAK |
100000 |
25+ |
原装正品，只做正品 |
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15年
留言
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VISHAYTO-220 |
15000 |
24+ |
全新原装的现货 |
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6年
留言
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英飞凌TO-263-2 |
5000 |
24+ |
全新、原装 |
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12年
留言
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IRTO-263 |
10000 |
13+ |
主营集成电路，一级分销IR系列，现货供应IRF740S，全新原装正品，欢迎咨询洽谈。 |
IRF740S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF740S图片
IRF740SPBF价格
IRF740SPBF价格：￥4.7449品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF740SPBF多少钱，想知道IRF740SPBF价格是多少？参考价：￥4.7449。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF740SPBF批发价格及采购报价，IRF740SPBF销售排行榜及行情走势，IRF740SPBF报价。
IRF740S资讯
IRF740SPBF参数以及价格走势
型号：IRF740SPBF 基本参数： 类别：分立半导体模块 家庭：MOSFET，GaNFET - 单 FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准型 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：550 毫欧 @ 6A, 10V 漏极至源极电压(Vdss
IRF740SPBF 深圳市友开发电子科技有限公司
IRF740SPBF IRF740STRLPBF IR 13+ TO-252 30000PCS 最新到货！ 百分百全新原装假一赔十!★特价★可长期供货!可开增值税票17%！ 联系人：陈小姐 0755-83231678/15817308636 QQ:420266603
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IRF740STRLPBF IR 13+ TO-263 800/盘 30000PCS 最新到货！百分百全新原装假一赔十!★特价★可长期供货!可开增值税票17%！ 联系人：陈小姐 0755-83231678/15817308636 QQ:420266603
IRF740S IRF740STRLPBF 深圳市友开发电子科技有限公司
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IRF740S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF740S功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740S2515制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF740SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740ST4制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
IRF740STRL功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740STRR功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF740STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
